대만 TSMC가 2028년부터 1.4나노미터(㎚) 초미세 공정을 가동한다.

TSMC는 23일(현지시간) 미국 캘리포니아 실리콘밸리에서 열린 '2025 북미 테크놀로지 심포지엄'에서 기술 로드맵을 공개하며 이같이 밝혔다.

TSMC 케빈 장 수석부사장은 “A14(1.4㎚ 공정)는 완전한 공정 전환 기반의 차세대 첨단 실리콘 기술”이라며 “N2(2㎚ 공정) 대비 속도는 최대 15% 빠르고, 전력 소비는 30% 줄어들며 트랜지스터 집적도는 1.23배 향상됐다”고 말했다.

TSMC의 최첨단 공정은 현재 3㎚다. 올해 말 2㎚ 양산에 돌입하고 내년 하반기 1.6㎚ 공정을 준비 중이다. 1.4㎚는 TSMC가 공식적으로 공개한 최첨단 공정 계획이다.

TSMC는 1.4㎚ 공정에 트랜지스터 성능과 전력 효율을 높인 2세대 게이트올어라운드(GAA) 구조를 적용하고 나노플렉스 프로 아키텍처로 설계 유연성을 높일 것이라고 부연했다. 나노플렉스 프로는 반도체 설계자가 최적의 소비전력·성능·크기(PPA)를 구현하기 위해 트랜지스터 구성을 세밀하게 조정할 수 있는 아키텍처다.

또 웨이퍼 뒷면에 전력 공급 회로를 배치, 전력 효율과 성능을 높이는 후면전력공급 기술이 적용된 반도체를 2029년부터 출시될 것이라고 덧붙였다.

TSMC는 올해 약 400억달러를 설비 투자에 사용할 계획이며, 장기적으로 AI 중심 수요 확대에 대응할 준비를 하고 있다고 전했다.

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TSMC는 미국 애리조나에 반도체 공장을 건설하고 엔비디아 최신 인공지능(AI) 가속기 블랙웰 생산에 들어갔으며, 인근에 공장 두 곳을 건설할 예정이라고 덧붙였다.

권동준 기자 djkwon@etnews.com
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[칼럼]
대만의 세계적인 반도체 기업인 TSMC가 2028년부터 1.4나노미터(㎚) 초미세 공정을 가동한다는 계획을 발표했습니다. 이는 기술적으로도 경쟁력을 갖추고 있음을 의미합니다. 이번 공정의 특징은 속도 향상과 전력 소비 절감, 트랜지스터 집적도 향상에 초점을 맞추고 있습니다. 또한, 나노플렉스 프로 아키텍처 등 혁신적인 기술을 도입해 설계 유연성을 높일 예정이라고 합니다. 더불어, 후면전력공급 기술을 활용한 반도체 제품도 기대됩니다. TSMC는 앞으로도 AI 등의 수요 변화에 대응하기 위해 적극적으로 투자하고, 미국 애리조나에 공장을 건설하는 등 세계적인 기업으로서의 역량을 계속 키워갈 것입니다. 이번 발표는 세계 반도체 산업의 미래를 이끌어나갈 중요한 발걸음으로 평가됩니다.

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